제조업체 제품 번호:
AOD3N60
Product Overview
제조사:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
부품 번호:
AOD3N60-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252
상세 설명:
N-Channel 600 V 2.5A (Tc) 56.8W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
재고:
3850 새로운 원본 재고 있음
12848422
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
AOD3N60 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Not For New Designs
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
3.5Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
370 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
56.8W (Tc)
작동 온도
-50°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-252 (DPAK)
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
기본 제품 번호
AOD3
데이터 시트 및 문서
추가 정보
다른 이름들
785-1181-1
Q9209987
785-1181-2
785-1181-6
5202-AOD3N60TR
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IPD80R2K8CEATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
4870
부품 번호
IPD80R2K8CEATMA1-DG
단가
0.36
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STD3N80K5
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
4899
부품 번호
STD3N80K5-DG
단가
0.53
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
FQD1N60CTM
제조사
Fairchild Semiconductor
구매 가능 수량
1490
부품 번호
FQD1N60CTM-DG
단가
0.25
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IPD80R3K3P7ATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
5000
부품 번호
IPD80R3K3P7ATMA1-DG
단가
0.25
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
FDS7066N3
MOSFET N-CH 30V 23A 8SO
AON7538
MOSFET N-CH 30V 23A/30A 8DFN
NDP603AL
MOSFET N-CH 30V 25A TO220-3
