제조업체 제품 번호:
AOT3N100
Product Overview
제조사:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
부품 번호:
AOT3N100-DG
설명:
MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220
상세 설명:
N-Channel 1000 V 2.8A (Tc) 132W (Tc) Through Hole TO-220
재고:
12850216
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
AOT3N100 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
포장
Tube
시리즈
-
제품 상태
Not For New Designs
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
1000 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
6Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
830 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
132W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
AOT3
데이터 시트 및 문서
추가 정보
다른 이름들
5202-AOT3N100
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
STP2NK100Z
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
738
부품 번호
STP2NK100Z-DG
단가
1.37
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
