AOTF266L
제조업체 제품 번호:

AOTF266L

Product Overview

제조사:

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

부품 번호:

AOTF266L-DG

설명:

MOSFET N-CH 60V 18A/78A TO220-3F
상세 설명:
N-Channel 60 V 18A (Ta), 78A (Tc) 2.1W (Ta), 45.5W (Tc) Through Hole TO-220F

재고:

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제출

AOTF266L 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
포장
Tube
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
18A (Ta), 78A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
6V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.2V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
5650 pF @ 30 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.1W (Ta), 45.5W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220F
패키지 / 케이스
TO-220-3 Full Pack
기본 제품 번호
AOTF266

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트
제품 도면

추가 정보

다른 이름들
785-1443-5
5202-AOTF266L
표준 패키지
1,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
TK100A06N1,S4X
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
25
부품 번호
TK100A06N1,S4X-DG
단가
1.07
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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