제조업체 제품 번호:
CP406-CWDM3011N-CT
Product Overview
제조사:
Central Semiconductor Corp
부품 번호:
CP406-CWDM3011N-CT-DG
설명:
MOSFET N-CH 11A 30V BARE DIE
상세 설명:
N-Channel 30 V 9.93A (Ta) 1.15W (Ta) Surface Mount Die
재고:
12953918
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제출
CP406-CWDM3011N-CT 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Central Semiconductor
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
9.93A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
13mOhm @ 1A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3V @ 250µA
Vgs(최대)
±20V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.15W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
Die
패키지 / 케이스
Die
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
1514-CP406-CWDM3011N-CT
표준 패키지
340
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0040
DIGI 인증
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