제조업체 제품 번호:
CC-C2-B15-0322
Product Overview
제조사:
CoolCAD
부품 번호:
CC-C2-B15-0322-DG
설명:
SiC Power MOSFET 1200V 12A
상세 설명:
N-Channel 1200 V 12A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-247
재고:
30 새로운 원본 재고 있음
13373452
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
CC-C2-B15-0322 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
포장
Bulk
시리즈
-
포장
Bulk
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압(Vdss)
1200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
12A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
15V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
135mOhm @ 10A, 15V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.2V @ 5mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
40 nC @ 15 V
Vgs(최대)
+15V, -5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1810 pF @ 200 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
100W (Tc)
작동 온도
-40°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-247
패키지 / 케이스
TO-247-4
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
3892-CC-C2-B15-0322
표준 패키지
5
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
3 (168 Hours)
REACH 상태
REACH Unaffected
DIGI 인증
관련 상품
SIRS4302DP-T1-GE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
TSM60NB380CH
600V, 9.5A, SINGLE N-CHANNEL POW
TSM60NB1R4CH
600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER