제조업체 제품 번호:
BS107PSTZ
Product Overview
제조사:
Diodes Incorporated
부품 번호:
BS107PSTZ-DG
설명:
MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE
상세 설명:
N-Channel 200 V 120mA (Ta) 500mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
재고:
1991 새로운 원본 재고 있음
12897444
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제출
BS107PSTZ 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Diodes Incorporated
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
120mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
2.6V, 5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
30Ohm @ 100mA, 5V
Vgs(일) (최대) @ Id
-
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
85 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
500mW (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
급
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
E-Line (TO-92 compatible)
패키지 / 케이스
E-Line-3
기본 제품 번호
BS107
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
BS107PSTZ-DG
BS107PSTZDICT
BS107PSTZDITR
표준 패키지
2,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
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