BS170P
제조업체 제품 번호:

BS170P

Product Overview

제조사:

Diodes Incorporated

부품 번호:

BS170P-DG

설명:

MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
상세 설명:
N-Channel 60 V 270mA (Ta) 625mW (Ta) Through Hole TO-92

재고:

12883022
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제출

BS170P 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Diodes Incorporated
포장
Bulk
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
270mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3V @ 1mA
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
60 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
625mW (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-92
패키지 / 케이스
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
기본 제품 번호
BS170

추가 정보

다른 이름들
BS170P-NDR
Q2995972
표준 패키지
4,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095

대체 모델

부품 번호
VN10KN3-G-P002
제조사
Microchip Technology
구매 가능 수량
2970
부품 번호
VN10KN3-G-P002-DG
단가
0.50
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
VN0808L-G
제조사
Microchip Technology
구매 가능 수량
579
부품 번호
VN0808L-G-DG
단가
1.03
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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