제조업체 제품 번호:
DMG5802LFX-7
Product Overview
제조사:
Diodes Incorporated
부품 번호:
DMG5802LFX-7-DG
설명:
MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
상세 설명:
Mosfet Array 24V 6.5A 980mW Surface Mount W-DFN5020-6
재고:
2929 새로운 원본 재고 있음
12884222
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제출
DMG5802LFX-7 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Diodes Incorporated
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
24V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
6.5A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
15mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
31.3nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1066.4pF @ 15V
전력 - 최대
980mW
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
6-VFDFN Exposed Pad
공급업체 장치 패키지
W-DFN5020-6
기본 제품 번호
DMG5802
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
DMG5802LFX-7DITR-DG
DMG5802LFX-7DICT
DMG5802LFX-7DICT-DG
DMG5802LFX7
DMG5802LFX-7DITR
DMG5802LFX-7DIDKR
DMG5802LFX-7DIDKR-DG
31-DMG5802LFX-7CT
31-DMG5802LFX-7TR
31-DMG5802LFX-7DKR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
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