제조업체 제품 번호:
DMG6602SVTX-7
Product Overview
제조사:
Diodes Incorporated
부품 번호:
DMG6602SVTX-7-DG
설명:
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
상세 설명:
Mosfet Array 30V 3.4A (Ta), 2.8A (Ta) 840mW (Ta) Surface Mount TSOT-26
재고:
4623 새로운 원본 재고 있음
12902661
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제출
DMG6602SVTX-7 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Diodes Incorporated
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
N and P-Channel Complementary
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
3.4A (Ta), 2.8A (Ta)
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
13nC @ 10V, 9nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
400pF @ 15V, 420pF @ 15V
전력 - 최대
840mW (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
급
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급업체 장치 패키지
TSOT-26
기본 제품 번호
DMG6602
추가 정보
다른 이름들
31-DMG6602SVTX-7CT
31-DMG6602SVTX-7TR
31-DMG6602SVTX-7DKR
DMG6602SVTX-7-DG
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
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