제조업체 제품 번호:
DMG7N65SJ3
Product Overview
제조사:
Diodes Incorporated
부품 번호:
DMG7N65SJ3-DG
설명:
MOSFET N-CH 650V 5.5A TO251
상세 설명:
N-Channel 650 V 5.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-251
재고:
12884126
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제출
DMG7N65SJ3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Diodes Incorporated
포장
-
시리즈
Automotive, AEC-Q101
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
886 pF @ 50 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
125W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-251
패키지 / 케이스
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
기본 제품 번호
DMG7N65
추가 정보
표준 패키지
75
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
REACH 상태
REACH Affected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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