제조업체 제품 번호:
DMJ70H601SK3-13
Product Overview
제조사:
Diodes Incorporated
부품 번호:
DMJ70H601SK3-13-DG
설명:
MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252
상세 설명:
N-Channel 700 V 8A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
재고:
12884524
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제출
DMJ70H601SK3-13 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Diodes Incorporated
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
700 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
8A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
600mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
20.9 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
686 pF @ 50 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
125W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-252 (DPAK)
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
기본 제품 번호
DMJ70
추가 정보
표준 패키지
75
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Affected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
TK560P65Y,RQ
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
4898
부품 번호
TK560P65Y,RQ-DG
단가
0.46
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STD8N60DM2
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
3630
부품 번호
STD8N60DM2-DG
단가
0.54
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IPD80R280P7ATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
10179
부품 번호
IPD80R280P7ATMA1-DG
단가
1.23
대체 유형
Direct
부품 번호
STD10NM60N
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
6369
부품 번호
STD10NM60N-DG
단가
1.17
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
SPD08N50C3ATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
12211
부품 번호
SPD08N50C3ATMA1-DG
단가
0.77
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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