제조업체 제품 번호:
DMN1016UCB6-7
Product Overview
제조사:
Diodes Incorporated
부품 번호:
DMN1016UCB6-7-DG
설명:
MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6
상세 설명:
N-Channel 12 V 5.5A (Ta) 920mW (Ta) Surface Mount U-WLB1510-6
재고:
3520 새로운 원본 재고 있음
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제출
DMN1016UCB6-7 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Diodes Incorporated
포장
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
12 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
5.5A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
2.5V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
4.2 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
423 pF @ 6 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
920mW (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
U-WLB1510-6
패키지 / 케이스
6-UFBGA, WLBGA
기본 제품 번호
DMN1016
추가 정보
다른 이름들
DMN1016UCB6-7DIDKR
DMN1016UCB6-7DICT
DMN1016UCB6-7DITR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
대체 모델
부품 번호
PMCM6501VNEZ
제조사
NXP USA Inc.
구매 가능 수량
2022638
부품 번호
PMCM6501VNEZ-DG
단가
0.19
대체 유형
MFR Recommended
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