제조업체 제품 번호:
DMN1032UCP4-7
Product Overview
제조사:
Diodes Incorporated
부품 번호:
DMN1032UCP4-7-DG
설명:
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DSN1010-
상세 설명:
N-Channel 12 V 5A (Ta) 790mW (Ta) Surface Mount X1-DSN1010-4 (Type B)
재고:
13002600
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제출
DMN1032UCP4-7 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Diodes Incorporated
포장
Bulk
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
12 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
5A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
1.8V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
28mOhm @ 1A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.2V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
3.2 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
325 pF @ 6 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
790mW (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
X1-DSN1010-4 (Type B)
패키지 / 케이스
4-XFBGA, DSBGA
기본 제품 번호
DMN1032
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
31-DMN1032UCP4-7
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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