제조업체 제품 번호:
DMN13H750S-13
Product Overview
제조사:
Diodes Incorporated
부품 번호:
DMN13H750S-13-DG
설명:
MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
상세 설명:
N-Channel 130 V 1A (Ta) 770mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
재고:
12887769
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제출
DMN13H750S-13 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Diodes Incorporated
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
130 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
1A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
6V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
750mOhm @ 2A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
5.6 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
231 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
770mW (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
SOT-23-3
패키지 / 케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
기본 제품 번호
DMN13
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
DMN13H750S-13DI
표준 패키지
10,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
대체 모델
부품 번호
DMN13H750S-7
제조사
Diodes Incorporated
구매 가능 수량
7911
부품 번호
DMN13H750S-7-DG
단가
0.15
대체 유형
Parametric Equivalent
DIGI 인증
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