제조업체 제품 번호:
DMN2016UTS-13
Product Overview
제조사:
Diodes Incorporated
부품 번호:
DMN2016UTS-13-DG
설명:
MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8TSSOP
상세 설명:
Mosfet Array 20V 8.58A 880mW Surface Mount 8-TSSOP
재고:
9750 새로운 원본 재고 있음
12887786
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제출
DMN2016UTS-13 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Diodes Incorporated
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
8.58A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
16.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1495pF @ 10V
전력 - 최대
880mW
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급업체 장치 패키지
8-TSSOP
기본 제품 번호
DMN2016
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
DMN2016UTS-13DITR
DMN2016UTS13
DMN2016UTS-13DICT
DMN2016UTS-13DIDKR
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
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