제조업체 제품 번호:
DMN2025U
Product Overview
제조사:
Diodes Incorporated
부품 번호:
DMN2025U-DG
설명:
DIODE
상세 설명:
N-Channel 20 V 5.6A (Ta) 800mW Surface Mount SOT-23-3
재고:
12974765
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
DMN2025U 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Diodes Incorporated
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
5.6A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
1.8V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
27mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
900mV @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
5.9 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
485 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
800mW
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
SOT-23-3
패키지 / 케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
기본 제품 번호
DMN2025
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
31-DMN2025U
표준 패키지
1
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
관련 상품
MMFTN3422K
MOSFET, SOT-23, 30V, 4.2A, 0, 1.
DI050N06D1
MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 0, 42W
PJD8NA50_L2_00001
500V N-CHANNEL MOSFET
