제조업체 제품 번호:
DMN2710UT-13
Product Overview
제조사:
Diodes Incorporated
부품 번호:
DMN2710UT-13-DG
설명:
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
상세 설명:
N-Channel 20 V 870mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount SOT-523
재고:
12999685
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
DMN2710UT-13 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Diodes Incorporated
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
870mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
1.8V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
450mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
42 pF @ 16 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
320mW (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
SOT-523
패키지 / 케이스
SOT-523
기본 제품 번호
DMN2710
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
31-DMN2710UT-13TR
표준 패키지
10,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
대체 모델
부품 번호
DMN2710UTQ-7
제조사
Diodes Incorporated
구매 가능 수량
1532
부품 번호
DMN2710UTQ-7-DG
단가
0.05
대체 유형
Parametric Equivalent
DIGI 인증
관련 상품
SI6423DQ-T1-BE3
P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
60N06
MOSFET N-CH 60V 50A TO-252
G7P03L
P30V,RD(MAX)<23M@-10V,RD(MAX)<34
