DMN3030LFG-13
제조업체 제품 번호:

DMN3030LFG-13

Product Overview

제조사:

Diodes Incorporated

부품 번호:

DMN3030LFG-13-DG

설명:

DMN3030LFG-13
상세 설명:
N-Channel 30 V 5.3A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8

재고:

12989071
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제출

DMN3030LFG-13 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Diodes Incorporated
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
5.3A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
18mOhm @ 10A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.1V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
17.4 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
751 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
900mW (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PowerDI3333-8
패키지 / 케이스
8-PowerVDFN
기본 제품 번호
DMN3030

추가 정보

다른 이름들
31-DMN3030LFG-13
표준 패키지
1

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
증권 시세 표시기
OBSOLETE

대체 모델

부품 번호
RQ3E080GNTB
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
2993
부품 번호
RQ3E080GNTB-DG
단가
0.10
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0.09
대체 유형
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