제조업체 제품 번호:
DMN3032LFDBWQ-13
Product Overview
제조사:
Diodes Incorporated
부품 번호:
DMN3032LFDBWQ-13-DG
설명:
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 6UDFN
상세 설명:
Mosfet Array 30V 5.5A (Ta) 820mW Surface Mount U-DFN2020-6 (SWP) Type B
재고:
13000645
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제출
DMN3032LFDBWQ-13 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Diodes Incorporated
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
5.5A (Ta)
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
30mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
10.6nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
500pF @ 15V
전력 - 최대
820mW
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
급
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
6-UDFN Exposed Pad
공급업체 장치 패키지
U-DFN2020-6 (SWP) Type B
기본 제품 번호
DMN3032
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
31-DMN3032LFDBWQ-13TR
표준 패키지
10,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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