제조업체 제품 번호:
DMN3190LDW-13
Product Overview
제조사:
Diodes Incorporated
부품 번호:
DMN3190LDW-13-DG
설명:
MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
상세 설명:
Mosfet Array 30V 1A 320mW Surface Mount SOT-363
재고:
15677 새로운 원본 재고 있음
12884797
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제출
DMN3190LDW-13 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Diodes Incorporated
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
1A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
190mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.8V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
87pF @ 20V
전력 - 최대
320mW
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급업체 장치 패키지
SOT-363
기본 제품 번호
DMN3190
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
DMN3190LDW-13DI-DG
DMN3190LDW-13DICT
-DMN3190LDW-13DIDKR
-DMN3190LDW-13DICT
DMN3190LDW-13DI
-DMN3190LDW-13DITR
DMN3190LDW-13DIDKR
DMN3190LDW-13DITR
표준 패키지
10,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
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