제조업체 제품 번호:
DMN32D2LFB4-7
Product Overview
제조사:
Diodes Incorporated
부품 번호:
DMN32D2LFB4-7-DG
설명:
MOSFET N-CH 30V 300MA 3DFN
상세 설명:
N-Channel 30 V 300mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
재고:
174069 새로운 원본 재고 있음
12888648
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제출
DMN32D2LFB4-7 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Diodes Incorporated
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
300mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
1.8V, 4V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 100mA, 4V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.2V @ 250µA
Vgs(최대)
±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
39 pF @ 3 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
350mW (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
X2-DFN1006-3
패키지 / 케이스
3-XFDFN
기본 제품 번호
DMN32
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
DMN32D2LFB4DITR
DMN32D2LFB4DICT
DMN32D2LFB4DIDKR
DMN32D2LFB47
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
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