제조업체 제품 번호:
DMN6013LFG-13
Product Overview
제조사:
Diodes Incorporated
부품 번호:
DMN6013LFG-13-DG
설명:
MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
상세 설명:
N-Channel 60 V 10.3A (Ta), 45A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
재고:
12888024
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
DMN6013LFG-13 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Diodes Incorporated
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
10.3A (Ta), 45A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
13mOhm @ 10A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
55.4 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2577 pF @ 30 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PowerDI3333-8
패키지 / 케이스
8-PowerVDFN
기본 제품 번호
DMN6013
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
DMN6013LFG-7
제조사
Diodes Incorporated
구매 가능 수량
25330
부품 번호
DMN6013LFG-7-DG
단가
0.23
대체 유형
Parametric Equivalent
부품 번호
DMN6013LFGQ-7
제조사
Diodes Incorporated
구매 가능 수량
1960
부품 번호
DMN6013LFGQ-7-DG
단가
0.28
대체 유형
Parametric Equivalent
부품 번호
TPH7R006PL,L1Q
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
54092
부품 번호
TPH7R006PL,L1Q-DG
단가
0.25
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
DMN2013UFDE-7
MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
DMN2011UFDE-13
MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
DMNH6021SK3-13
MOSFET N-CH 60V 50A TO252
