제조업체 제품 번호:
DMN62D0LFD-13
Product Overview
제조사:
Diodes Incorporated
부품 번호:
DMN62D0LFD-13-DG
설명:
MOSFET N-CH X1-DFN1212-3
상세 설명:
N-Channel 60 V 310mA (Ta) 480mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1212-3
재고:
12888822
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제출
DMN62D0LFD-13 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Diodes Incorporated
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
310mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
1.8V, 4V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
2Ohm @ 100mA, 4V
Vgs(일) (최대) @ Id
1V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
0.5 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
31 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
480mW (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
X1-DFN1212-3
패키지 / 케이스
3-UDFN
기본 제품 번호
DMN62
추가 정보
다른 이름들
DMN62D0LFD-13DI
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
DMN62D1LFD-7
제조사
Diodes Incorporated
구매 가능 수량
25148
부품 번호
DMN62D1LFD-7-DG
단가
0.05
대체 유형
Direct
부품 번호
DMN62D0LFD-7
제조사
Diodes Incorporated
구매 가능 수량
96932
부품 번호
DMN62D0LFD-7-DG
단가
0.03
대체 유형
Parametric Equivalent
DIGI 인증
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