제조업체 제품 번호:
DMN63D1LDW-7
Product Overview
제조사:
Diodes Incorporated
부품 번호:
DMN63D1LDW-7-DG
설명:
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
상세 설명:
Mosfet Array 60V 250mA 310mW Surface Mount SOT-363
재고:
3000 새로운 원본 재고 있음
12884544
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
DMN63D1LDW-7 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Diodes Incorporated
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
250mA
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
0.3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
30pF @ 25V
전력 - 최대
310mW
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급업체 장치 패키지
SOT-363
기본 제품 번호
DMN63
추가 정보
다른 이름들
DMN63D1LDW-7-DG
31-DMN63D1LDW-7DKR
31-DMN63D1LDW-7TR
31-DMN63D1LDW-7CT
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
관련 상품
DMC1030UFDBQ-13
MOSFET N/P-CH 12V 5.1A 6UDFN
DMC4029SK4-13
MOSFET N/P-CH 40V 8.3A TO252-4L
DMN2004VK-7
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563