제조업체 제품 번호:
DMN90H8D5HCT
Product Overview
제조사:
Diodes Incorporated
부품 번호:
DMN90H8D5HCT-DG
설명:
MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB
상세 설명:
N-Channel 900 V 2.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3
재고:
12949076
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제출
DMN90H8D5HCT 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Diodes Incorporated
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
900 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
7.9 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
470 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
125W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220-3
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
DMN90
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
DMN90H8D5HCT-DG
DMN90H8D5HCTDI
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Affected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
STP2NK90Z
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
641
부품 번호
STP2NK90Z-DG
단가
0.76
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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