DMNH6008SCT
제조업체 제품 번호:

DMNH6008SCT

Product Overview

제조사:

Diodes Incorporated

부품 번호:

DMNH6008SCT-DG

설명:

MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB
상세 설명:
N-Channel 60 V 130A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-220-3

재고:

12891991
견적 요청
수량
최소 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출

DMNH6008SCT 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Diodes Incorporated
포장
Tube
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
130A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs(최대)
20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2596 pF @ 30 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
210W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220-3
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
DMNH6008

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

표준 패키지
50

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
STP76NF75
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
1000
부품 번호
STP76NF75-DG
단가
1.04
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IRF1010NPBF
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
5624
부품 번호
IRF1010NPBF-DG
단가
0.57
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
DMNH6008SCTQ
제조사
Diodes Incorporated
구매 가능 수량
311
부품 번호
DMNH6008SCTQ-DG
단가
0.74
대체 유형
Parametric Equivalent
부품 번호
IRF3205PBF
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
24358
부품 번호
IRF3205PBF-DG
단가
0.55
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IRF60B217
제조사
International Rectifier
구매 가능 수량
3490
부품 번호
IRF60B217-DG
단가
0.71
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
diodes

DMN15H310SK3-13

MOSFET N-CH 150V 8.3A TO252

diodes

DMN3021LFDF-7

MOSFET N-CH 30V 11.8A 6UDFN

diodes

DMP3018SSS-13

MOSFET P-CH 30V 10.5/25A 8SO T&R

diodes

DMN61D9U-7

MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23