제조업체 제품 번호:
DMS3012SFG-7
Product Overview
제조사:
Diodes Incorporated
부품 번호:
DMS3012SFG-7-DG
설명:
MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI3333
상세 설명:
N-Channel 30 V 12A (Ta) 890mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
재고:
12888694
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제출
DMS3012SFG-7 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Diodes Incorporated
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
12A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
10mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
14.7 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
4310 pF @ 15 V
FET 기능
Schottky Diode (Body)
전력 손실(최대)
890mW (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PowerDI3333-8
패키지 / 케이스
8-PowerVDFN
추가 정보
다른 이름들
DMS3012SFG-7DITR
DMS3012SFG-7DICT
DMS3012SFG7
DMS3012SFG-7DIDKR
표준 패키지
2,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
대체 모델
부품 번호
IRFH8334TRPBF
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
11160
부품 번호
IRFH8334TRPBF-DG
단가
0.16
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
RQ3E120BNTB
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
2880
부품 번호
RQ3E120BNTB-DG
단가
0.16
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
RQ3E130MNTB1
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
0
부품 번호
RQ3E130MNTB1-DG
단가
0.40
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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