DMT10H003SPSW-13
제조업체 제품 번호:

DMT10H003SPSW-13

Product Overview

제조사:

Diodes Incorporated

부품 번호:

DMT10H003SPSW-13-DG

설명:

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
상세 설명:
N-Channel 100 V 152A (Tc) 2.2W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8 (Type Q)

재고:

12979150
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제출

DMT10H003SPSW-13 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Diodes Incorporated
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
152A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
6V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
5542 pF @ 50 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.2W (Ta), 139W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PowerDI5060-8 (Type Q)
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN
기본 제품 번호
DMT10

데이터 시트 및 문서

데이터시트

추가 정보

다른 이름들
31-DMT10H003SPSW-13TR
표준 패키지
2,500

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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