제조업체 제품 번호:
DMT10H009SSS-13
Product Overview
제조사:
Diodes Incorporated
부품 번호:
DMT10H009SSS-13-DG
설명:
MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R
상세 설명:
N-Channel 100 V 12A (Ta), 42A (Tc) 1.4W (Ta)
재고:
12900955
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
DMT10H009SSS-13 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Diodes Incorporated
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
12A (Ta), 42A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
29.8 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2085 pF @ 50 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.4W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
-
공급업체 장치 패키지
-
패키지 / 케이스
-
기본 제품 번호
DMT10
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
DMN62D0UW-7
MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
DMTH43M8LPSQ-13
MOSFET N-CH 40V 22A PWRDI5060
DMP10H400SEQ-13
MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
