제조업체 제품 번호:
DMT10H075LE-13
Product Overview
제조사:
Diodes Incorporated
부품 번호:
DMT10H075LE-13-DG
설명:
MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T&
상세 설명:
N-Channel 100 V 4A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount SOT-223-3
재고:
13242604
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
DMT10H075LE-13 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Diodes Incorporated
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
4A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
65mOhm @ 4A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
4.5 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
228 pF @ 50 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.4W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
SOT-223-3
패키지 / 케이스
TO-261-4, TO-261AA
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
31-DMT10H075LE-13TR
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
REACH 상태
REACH Unaffected
DIGI 인증
관련 상품
DMTH43M8LFVW-7
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
DMTH43M7LFG-7
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
DMTH62M7SPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506