제조업체 제품 번호:
DMT10H9M9LCT
Product Overview
제조사:
Diodes Incorporated
부품 번호:
DMT10H9M9LCT-DG
설명:
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T
상세 설명:
N-Channel 100 V 101A (Tc) 2.3W (Ta), 156W (Tc) Through Hole TO-220-3
재고:
13000818
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제출
DMT10H9M9LCT 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Diodes Incorporated
포장
Tube
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
101A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
40.2 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2309 pF @ 50 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.3W (Ta), 156W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220-3
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
DMT10
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
31-DMT10H9M9LCT
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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