제조업체 제품 번호:
DMT3011LDT-7
Product Overview
제조사:
Diodes Incorporated
부품 번호:
DMT3011LDT-7-DG
설명:
MOSFET 2N-CH 30V 8A/10.7A 8VDFN
상세 설명:
Mosfet Array 30V 8A, 10.7A 1.9W Surface Mount V-DFN3030-8 (Type K)
재고:
8665 새로운 원본 재고 있음
12888212
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제출
DMT3011LDT-7 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Diodes Incorporated
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
8A, 10.7A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
20mOhm @ 6A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
13.2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
641pF @ 15V
전력 - 최대
1.9W
작동 온도
-55°C ~ 155°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-VDFN Exposed Pad
공급업체 장치 패키지
V-DFN3030-8 (Type K)
기본 제품 번호
DMT3011
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
DMT3011LDT-7-DG
DMT3011LDT-7DICT
DMT3011LDT-7DITR
DMT3011LDT-7DIDKR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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