제조업체 제품 번호:
DMT6015LFV-7
Product Overview
제조사:
Diodes Incorporated
부품 번호:
DMT6015LFV-7-DG
설명:
MOSFET N-CH 60V PWRDI3333
상세 설명:
N-Channel 60 V 9.5A (Ta), 35A (Tc) 2.2W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UX)
재고:
1750 새로운 원본 재고 있음
12888720
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
DMT6015LFV-7 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Diodes Incorporated
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
9.5A (Ta), 35A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
16mOhm @ 10A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
18.9 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1103 pF @ 30 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.2W (Ta), 30W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PowerDI3333-8 (Type UX)
패키지 / 케이스
8-PowerVDFN
기본 제품 번호
DMT6015
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
31-DMT6015LFV-7TR
31-DMT6015LFV-7CT
DMT6015LFV-7-DG
31-DMT6015LFV-7DKR
표준 패키지
2,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
TPN11006NL,LQ
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
10188
부품 번호
TPN11006NL,LQ-DG
단가
0.27
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
DMN3200U-7
MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
DMP3028LK3Q-13
MOSFET P-CHANNEL 30V 27A TO252
DMTH4008LFDFW-13
MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN
