제조업체 제품 번호:
DMT63M6LPSW-13
Product Overview
제조사:
Diodes Incorporated
부품 번호:
DMT63M6LPSW-13-DG
설명:
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
상세 설명:
N-Channel 60 V 96A (Tc) 2.7W (Ta), 70.6W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)
재고:
13242656
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제출
DMT63M6LPSW-13 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Diodes Incorporated
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
96A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
44.8 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2479 pF @ 30 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.7W (Ta), 70.6W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount, Wettable Flank
공급업체 장치 패키지
PowerDI5060-8 (Type UX)
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN
추가 정보
다른 이름들
31-DMT63M6LPSW-13TR
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
REACH 상태
REACH Unaffected
DIGI 인증
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