제조업체 제품 번호:
DMT69M8LPS-13
Product Overview
제조사:
Diodes Incorporated
부품 번호:
DMT69M8LPS-13-DG
설명:
MOSFET N-CHA 60V 10.2A POWERDI
상세 설명:
N-Channel 60 V 10.2A (Ta), 70A (Tc) 2.3W (Ta), 113W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
재고:
12884606
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제출
DMT69M8LPS-13 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Diodes Incorporated
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
10.2A (Ta), 70A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
12mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
33.5 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1925 pF @ 30 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.3W (Ta), 113W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
급
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PowerDI5060-8
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN
추가 정보
다른 이름들
DMT69M8LPS-13DICT
DMT69M8LPS-13DITR
DMT69M8LPS-13DIDKR
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Affected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
DIGI 인증
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