제조업체 제품 번호:
DMTH6004SCTB-13
Product Overview
제조사:
Diodes Incorporated
부품 번호:
DMTH6004SCTB-13-DG
설명:
MOSFET N-CH 60V 100A TO263AB
상세 설명:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 4.7W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-263
재고:
790 새로운 원본 재고 있음
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제출
DMTH6004SCTB-13 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Diodes Incorporated
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
100A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
95.4 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
4556 pF @ 30 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
4.7W (Ta), 136W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
급
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-263
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호
DMTH6004
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
DMTH6004SCTB-13DITR
DMTH6004SCTB-13DIDKR
DMTH6004SCTB-13DICT
DMTH6004SCTB-13-DG
표준 패키지
800
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
DMTH6004SCTBQ-13
제조사
Diodes Incorporated
구매 가능 수량
667
부품 번호
DMTH6004SCTBQ-13-DG
단가
1.23
대체 유형
Parametric Equivalent
부품 번호
IPB034N06L3GATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
1977
부품 번호
IPB034N06L3GATMA1-DG
단가
0.77
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
FDB029N06
제조사
Fairchild Semiconductor
구매 가능 수량
5208
부품 번호
FDB029N06-DG
단가
3.77
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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