제조업체 제품 번호:
DMTH6010LPDQ-13
Product Overview
제조사:
Diodes Incorporated
부품 번호:
DMTH6010LPDQ-13-DG
설명:
MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50
상세 설명:
Mosfet Array 60V 13.1A (Ta), 47.6A (Tc) 2.8W Surface Mount PowerDI5060-8
재고:
23404 새로운 원본 재고 있음
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제출
DMTH6010LPDQ-13 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Diodes Incorporated
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
11mOhm @ 20A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
40.2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2615pF @ 30V
전력 - 최대
2.8W
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
급
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN
공급업체 장치 패키지
PowerDI5060-8
기본 제품 번호
DMTH6010
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
DMTH6010LPDQ-13DIDKR
DMTH6010LPDQ-13-DG
DMTH6010LPDQ-13DITR
DMTH6010LPDQ-13DICT
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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