DMTH8008LPSQ-13
제조업체 제품 번호:

DMTH8008LPSQ-13

Product Overview

제조사:

Diodes Incorporated

부품 번호:

DMTH8008LPSQ-13-DG

설명:

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
상세 설명:
N-Channel 80 V 91A (Tc) 1.6W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8

재고:

2500 새로운 원본 재고 있음
13000839
견적 요청
수량
최소 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출

DMTH8008LPSQ-13 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Diodes Incorporated
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
80 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
91A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
7.8mOhm @ 14A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.8V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
41.2 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2345 pF @ 40 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.6W (Ta), 100W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PowerDI5060-8
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN

데이터 시트 및 문서

데이터시트

추가 정보

다른 이름들
31-DMTH8008LPSQ-13DKR
31-DMTH8008LPSQ-13CT
31-DMTH8008LPSQ-13TR
표준 패키지
2,500

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
taiwan-semiconductor

TSM60NB260CI

600V, 13A, SINGLE N-CHANNEL POWE

goford-semiconductor

G65P06T

P-60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2.0V~

diodes

DMTH4M70SPGW-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808

diodes

DMT69M5LFVWQ-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333