제조업체 제품 번호:
HBDM60V600W-7
Product Overview
제조사:
Diodes Incorporated
부품 번호:
HBDM60V600W-7-DG
설명:
TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor Array 1 NPN, 1 PNP 65V, 60V 500mA, 600mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-363
재고:
12888560
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제출
HBDM60V600W-7 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 바이폴라 트랜지스터 배열
제조사
Diodes Incorporated
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
트랜지스터 유형
1 NPN, 1 PNP
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
500mA, 600mA
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
65V, 60V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
전력 - 최대
200mW
빈도 - 전환
100MHz
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급업체 장치 패키지
SOT-363
기본 제품 번호
HBDM60V600
추가 정보
다른 이름들
HBDM60V600WDITR
HBDM60V600W7
HBDM60V600WDIDKR
HBDM60V600WDICT
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0075
대체 모델
부품 번호
MMDT2227-TP
제조사
Micro Commercial Co
구매 가능 수량
0
부품 번호
MMDT2227-TP-DG
단가
0.05
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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