MMBTH10-7-F
제조업체 제품 번호:

MMBTH10-7-F

Product Overview

제조사:

Diodes Incorporated

부품 번호:

MMBTH10-7-F-DG

설명:

RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
상세 설명:
RF Transistor NPN 25V 50mA 650MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3

재고:

26224 새로운 원본 재고 있음
12887116
견적 요청
수량
최소 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출

MMBTH10-7-F 기술 사양

카테고리
바이폴라 (BJT), 양극성 RF 트랜지스터
제조사
Diodes Incorporated
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
트랜지스터 유형
NPN
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
25V
빈도 - 전환
650MHz
잡음 지수(dB Typ @ f)
-
이득
-
전력 - 최대
300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
60 @ 4mA, 10V
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
50mA
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급업체 장치 패키지
SOT-23-3
기본 제품 번호
MMBTH10

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
MMBTH10-FDIDKR
MMBTH10-FDICT
MMBTH107F
MMBTH10-FDITR
표준 패키지
3,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0075
DIGI 인증
관련 상품
diodes

FMMT918TA

RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3

diodes

BFS17NTA

RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT23-3

toshiba-semiconductor-and-storage

MT4S300U(TE85L,O,F

X34 PB-F RADIO-FREQUENCY SIGE HE

toshiba-semiconductor-and-storage

MT3S113TU,LF

RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM