제조업체 제품 번호:
MMBTH10Q-7-F
Product Overview
제조사:
Diodes Incorporated
부품 번호:
MMBTH10Q-7-F-DG
설명:
RF TRANSISTOR SOT23
상세 설명:
RF Transistor NPN 25V 50mA 650MHz 310mW Surface Mount SOT-23-3
재고:
12954950
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제출
MMBTH10Q-7-F 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 양극성 RF 트랜지스터
제조사
Diodes Incorporated
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
트랜지스터 유형
NPN
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
25V
빈도 - 전환
650MHz
잡음 지수(dB Typ @ f)
-
이득
-
전력 - 최대
310mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
60 @ 4mA, 10V
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
50mA
작동 온도
-65°C ~ 150°C (TJ)
급
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급업체 장치 패키지
SOT-23-3
기본 제품 번호
MMBTH10
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
31-MMBTH10Q-7-FCT
31-MMBTH10Q-7-FDKR
31-MMBTH10Q-7-FTR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0075
대체 모델
부품 번호
BFR380FH6327XTSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
14658
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단가
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