UMG4N-7
제조업체 제품 번호:

UMG4N-7

Product Overview

제조사:

Diodes Incorporated

부품 번호:

UMG4N-7-DG

설명:

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT353
상세 설명:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-353

재고:

12906789
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제출

UMG4N-7 기술 사양

카테고리
바이폴라 (BJT), 바이폴라 트랜지스터 배열, 프리 바이어스
제조사
Diodes Incorporated
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
트랜지스터 유형
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
100mA
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
50V
저항기 - 베이스(R1)
10kOhms
저항기 - 이미터 베이스(R2)
-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
-
빈도 - 전환
250MHz
전력 - 최대
150mW
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
공급업체 장치 패키지
SOT-353
기본 제품 번호
UMG4

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

표준 패키지
3,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0075

대체 모델

부품 번호
UMG4NTR
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
2855
부품 번호
UMG4NTR-DG
단가
0.07
대체 유형
Direct
DIGI 인증
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