제조업체 제품 번호:
ZTX857QSTZ
Product Overview
제조사:
Diodes Incorporated
부품 번호:
ZTX857QSTZ-DG
설명:
PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR EP3 AM
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 3 A 80MHz 1.2 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
재고:
12979199
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제출
ZTX857QSTZ 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 단일 양극 트랜지스터
제조사
Diodes Incorporated
포장
Tape & Box (TB)
시리즈
-
제품 상태
Active
트랜지스터 유형
NPN
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
3 A
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
300 V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
250mV @ 600mA, 3A
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 10V
전력 - 최대
1.2 W
빈도 - 전환
80MHz
작동 온도
-55°C ~ 200°C (TJ)
실장 형
Through Hole
패키지 / 케이스
E-Line-3, Formed Leads
공급업체 장치 패키지
E-Line (TO-92 compatible)
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
31-ZTX857QSTZTB
표준 패키지
4,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0075
DIGI 인증
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