제조업체 제품 번호:
ZXMN2A04DN8TA
Product Overview
제조사:
Diodes Incorporated
부품 번호:
ZXMN2A04DN8TA-DG
설명:
MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
상세 설명:
Mosfet Array 20V 5.9A 1.8W Surface Mount 8-SO
재고:
584 새로운 원본 재고 있음
12904074
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제출
ZXMN2A04DN8TA 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Diodes Incorporated
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
5.9A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
700mV @ 250µA (Min)
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
22.1nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1880pF @ 10V
전력 - 최대
1.8W
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급업체 장치 패키지
8-SO
기본 제품 번호
ZXMN2
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
ZXMN2A04DN8CT-NDR
ZXMN2A04DN8CT
ZXMN2A04DN8DKRINACTIVE
ZXMN2A04DN8TR
ZXMN2A04DN8DKR-DG
ZXMN2A04DN8TR-NDR
ZXMN2A04DN8DKR
표준 패키지
500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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