ZXMN2B03E6TA
제조업체 제품 번호:

ZXMN2B03E6TA

Product Overview

제조사:

Diodes Incorporated

부품 번호:

ZXMN2B03E6TA-DG

설명:

MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
상세 설명:
N-Channel 20 V 4.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-6

재고:

2518 새로운 원본 재고 있음
12904987
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제출

ZXMN2B03E6TA 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Diodes Incorporated
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
4.3A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
1.8V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
40mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
14.5 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1160 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.1W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
SOT-23-6
패키지 / 케이스
SOT-23-6
기본 제품 번호
ZXMN2

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
ZXMN2B03E6DKR
ZXMN2B03E6CT
ZXMN2B03E6TR
표준 패키지
3,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
SI3442BDV-T1-E3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
26929
부품 번호
SI3442BDV-T1-E3-DG
단가
0.17
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
RUQ050N02TR
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
2985
부품 번호
RUQ050N02TR-DG
단가
0.31
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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