ZXMNS3BM832TA
제조업체 제품 번호:

ZXMNS3BM832TA

Product Overview

제조사:

Diodes Incorporated

부품 번호:

ZXMNS3BM832TA-DG

설명:

MOSFET N-CH 30V 2A 8MLP
상세 설명:
N-Channel 30 V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-MLP (3x2)

재고:

12886372
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제출

ZXMNS3BM832TA 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Diodes Incorporated
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
2A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
2.5V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
700mV @ 250µA (Min)
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
2.9 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
314 pF @ 15 V
FET 기능
Schottky Diode (Isolated)
전력 손실(최대)
1W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-MLP (3x2)
패키지 / 케이스
8-VDFN Exposed Pad

추가 정보

다른 이름들
ZXMNS3BM832CT
ZXMNS3BM832TA-DG
ZXMNS3BM832DKR
ZXMNS3BM832TR
표준 패키지
3,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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