제조업체 제품 번호:
DI150N04PQ
Product Overview
제조사:
Diotec Semiconductor
부품 번호:
DI150N04PQ-DG
설명:
MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0014OHM
상세 설명:
N-Channel 40 V 150A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount 8-QFN (5x6)
재고:
13005572
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
DI150N04PQ 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Diotec Semiconductor
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
40 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
150A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.45mOhm @ 75A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3950 pF @ 20 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
125W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
급
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-QFN (5x6)
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
4878-DI150N04PQTR
4878-DI150N04PQDKR
4878-DI150N04PQCT
2796-DI150N04PQTR
2796-DI150N04PQTR-DG
표준 패키지
5,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
Not applicable
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
Vendor Undefined
(주)헤수스
8541.29.0000
DIGI 인증
관련 상품
RD3P02BATTL1
PCH -100V -20A POWER MOSFET: RD3
GAN7R0-150LBEZ
150 V, 7 MOHM GALLIUM NITRIDE (G
IRFP4768PBFXKMA1
TRENCH >=100V
