제조업체 제품 번호:
EPC7018GSH
Product Overview
제조사:
EPC Space, LLC
부품 번호:
EPC7018GSH-DG
설명:
GAN FET HEMT 100V 90A 5UB
상세 설명:
N-Channel 100 V 80A (Tc) Surface Mount 5-SMD
재고:
42 새로운 원본 재고 있음
13239704
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제출
EPC7018GSH 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
EPC Space
포장
Bulk
시리즈
eGaN®
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
80A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
6mOhm @ 40A, 5V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 12mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
11.7 nC @ 5 V
Vgs(최대)
+6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1240 pF @ 50 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
-
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
5-SMD
패키지 / 케이스
5-SMD, No Lead
추가 정보
다른 이름들
4107-EPC7018GSH
표준 패키지
1
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS non-compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Affected
DIGI 인증
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