제조업체 제품 번호:
FBG10N05AC
Product Overview
제조사:
EPC Space, LLC
부품 번호:
FBG10N05AC-DG
설명:
GAN FET HEMT 100V5A COTS 4FSMD-A
상세 설명:
N-Channel 100 V 5A (Tc) Surface Mount 4-SMD
재고:
64 새로운 원본 재고 있음
12997446
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제출
FBG10N05AC 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
EPC Space
포장
Bulk
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
5A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
44mOhm @ 5A, 5V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 1.2mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
2.2 nC @ 5 V
Vgs(최대)
+6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
233 pF @ 50 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
-
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
4-SMD
패키지 / 케이스
4-SMD, No Lead
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
4107-FBG10N05AC
표준 패키지
169
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
증권 시세 표시기
9A515E1
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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