EPC2001C
제조업체 제품 번호:

EPC2001C

Product Overview

제조사:

EPC

부품 번호:

EPC2001C-DG

설명:

GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
상세 설명:
N-Channel 100 V 36A (Ta) Surface Mount Die

재고:

122917 새로운 원본 재고 있음
12814786
견적 요청
수량
최소 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출

EPC2001C 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
EPC
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
eGaN®
제품 상태
Not For New Designs
FET 유형
N-Channel
기술
GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
36A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 5mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
9 nC @ 5 V
Vgs(최대)
+6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
900 pF @ 50 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
-
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
Die
패키지 / 케이스
Die
기본 제품 번호
EPC20

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
917-1079-6
917-1079-1
917-1079-2
표준 패키지
2,500

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0040

대체 모델

부품 번호
EPC2204
제조사
EPC
구매 가능 수량
39534
부품 번호
EPC2204-DG
단가
0.98
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
infineon-technologies

IRF3709ZCSTRL

MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK

infineon-technologies

IRL530NSTRLPBF

MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK

infineon-technologies

IRF7401PBF

MOSFET N-CH 20V 8.7A 8SO

texas-instruments

CSD17578Q3AT

MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON